기존에 가장 많이 사용되는 광원인 형광등은 발광효율이 낮고, 낮은 수명과 수은에 의한 환경오염에 대한 문제점이 많습니다. 따라서 이것을 대체하기 위해서는 초절전, 반영구적인 수명, 친환경, 고색순도를 가진 백색 LED 개발이 절실합니다.
반도체 양자점은 나노크기의 Ⅱ-Ⅳ 반도체 입자의 중심을 이루는 입자입니다. 양자점은 같은 물질의 중심으로 구성되더라도 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라지므로 입자의 크기가 적어질수록 짧은 파장의 형광을 내며, 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 거의 다 낼 수 있습니다. 또한 일반적 염료에 비해 흡광계수가 100~1000배 크고 양자효율도 높으므로 매우 센 형광을 발생합니다. 이러한 양자점 나노 결정의 응용분야는 반도체관련 전자재료분야뿐 아니라 다양한 에너지 관련 분야로도 급속하게 확대되고 있지만, 국내에서는 이에 대한 연구가 낙후된 상태입니다.
가시광선을 흡수하는 양자점을 이용하면 태양 에너지의 변환을 촉진시킬 수 있습니다. 도핑과 전자에 반응을 잘하는 양자점 이용이 모두 금속 산화물의 가시광선 흡수 효율을 크게 증가시켰지만 현재까지 개발된 광 변환용 양자점의 효율은 상용화되기에는 아직 극복해야 할 단점이 많이 있습니다. 따라서 본 연구에서는 다양한 표면조작을 가하여 상용화가 가능한 새로운 양자점을 개발하고 이를 태양전지의 광 변환 소재로 적용하고자 하는 연구입니다.
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